钝化层质量对器件可靠性的影响
发布时间:2012/4/27 19:51:01 访问次数:2112
半导体分立器件的表面钝化MJE15035G层主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亚胺等，其作用主要是防止管壳中的湿气对器件特性的影响，防止操作过程中表面擦伤及管壳空腔的微粒影响。S13 N4钝化的器件可防止碱离子穿入下面的Si0：层，提高器件稳定性；Alz 03可有效阻挡碱离子进入下层Si0。，硅酮塑料具有比环氧树脂或石炭酸基封装化合更高的储存温度，主要用于功率器件的封装和梁式引线器件。在钝化层中存在裂缝时，经常在沿着外形的阶梯处或沿着定轮廓金属体的边缘产生针孔。合金金属上介质层的针孔有两种，即在Al线中心区域的针孑L和沿着定轮廓金属线边缘的针孔。边缘的针孔归因于金属边缘靠近光刻抗蚀剂的距离不适当，可通过采用较厚的光刻抗蚀剂层或改进光刻抗蚀剂的涂敷技术来消除。Al线中心区的针孑L归因于Al接触合金工序中Al再结晶形成的小丘，在随后的淀积钝化层工序中，小丘完全被介质层覆盖，但不能被光刻抗蚀剂完全覆盖，使小丘突出在胶膜之上，形成针孔。钝化层质量对器件可靠性的影响如下：
①在器件加电工作过程中，钝化层的裂缝或针孑L会导致Al条被湿气腐蚀，直至开路失效，也会导致芯片受离子沾污。
②含磷浓度过高的PSG层具有吸水性，会引起Al条的腐蚀；含磷浓度过低的玻璃层会沿着Al线的边缘处形成裂缝，导致局部金属腐蚀。采用Ti-Pt-Au代替AI金属化，并用Au丝代Al丝键合，在抗电化学腐蚀方面具有明显优势。
③在塑料封装工艺中，塑料是离予或杂质的来源之一，对可靠性有害，特别在潮湿环境下，可加速离子的迁移效应，导致金属化产生电化学腐蚀。
①在器件加电工作过程中，钝化层的裂缝或针孑L会导致Al条被湿气腐蚀，直至开路失效，也会导致芯片受离子沾污。
②含磷浓度过高的PSG层具有吸水性，会引起Al条的腐蚀；含磷浓度过低的玻璃层会沿着Al线的边缘处形成裂缝，导致局部金属腐蚀。采用Ti-Pt-Au代替AI金属化，并用Au丝代Al丝键合，在抗电化学腐蚀方面具有明显优势。
③在塑料封装工艺中，塑料是离予或杂质的来源之一，对可靠性有害，特别在潮湿环境下，可加速离子的迁移效应，导致金属化产生电化学腐蚀。
半导体分立器件的表面钝化MJE15035G层主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亚胺等，其作用主要是防止管壳中的湿气对器件特性的影响，防止操作过程中表面擦伤及管壳空腔的微粒影响。S13 N4钝化的器件可防止碱离子穿入下面的Si0：层，提高器件稳定性；Alz 03可有效阻挡碱离子进入下层Si0。，硅酮塑料具有比环氧树脂或石炭酸基封装化合更高的储存温度，主要用于功率器件的封装和梁式引线器件。在钝化层中存在裂缝时，经常在沿着外形的阶梯处或沿着定轮廓金属体的边缘产生针孔。合金金属上介质层的针孔有两种，即在Al线中心区域的针孑L和沿着定轮廓金属线边缘的针孔。边缘的针孔归因于金属边缘靠近光刻抗蚀剂的距离不适当，可通过采用较厚的光刻抗蚀剂层或改进光刻抗蚀剂的涂敷技术来消除。Al线中心区的针孑L归因于Al接触合金工序中Al再结晶形成的小丘，在随后的淀积钝化层工序中，小丘完全被介质层覆盖，但不能被光刻抗蚀剂完全覆盖，使小丘突出在胶膜之上，形成针孔。钝化层质量对器件可靠性的影响如下：
①在器件加电工作过程中，钝化层的裂缝或针孑L会导致Al条被湿气腐蚀，直至开路失效，也会导致芯片受离子沾污。
②含磷浓度过高的PSG层具有吸水性，会引起Al条的腐蚀；含磷浓度过低的玻璃层会沿着Al线的边缘处形成裂缝，导致局部金属腐蚀。采用Ti-Pt-Au代替AI金属化，并用Au丝代Al丝键合，在抗电化学腐蚀方面具有明显优势。
③在塑料封装工艺中，塑料是离予或杂质的来源之一，对可靠性有害，特别在潮湿环境下，可加速离子的迁移效应，导致金属化产生电化学腐蚀。
①在器件加电工作过程中，钝化层的裂缝或针孑L会导致Al条被湿气腐蚀，直至开路失效，也会导致芯片受离子沾污。
②含磷浓度过高的PSG层具有吸水性，会引起Al条的腐蚀；含磷浓度过低的玻璃层会沿着Al线的边缘处形成裂缝，导致局部金属腐蚀。采用Ti-Pt-Au代替AI金属化，并用Au丝代Al丝键合，在抗电化学腐蚀方面具有明显优势。
③在塑料封装工艺中，塑料是离予或杂质的来源之一，对可靠性有害，特别在潮湿环境下，可加速离子的迁移效应，导致金属化产生电化学腐蚀。
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