针对GaAs FET器件的失效模式，采取相应的设计措施
发布时间:2012/4/28 19:56:22 访问次数:1062
有关GaAs FET的可靠性研究，1975年开始6B595N就有报告。早期的报告几乎全是关于耿氏二极管和碰撞雪崩二极管的失效分析，普遍认为器件特性的不良和劣化的原因主要由欧姆接触不良引起；器件的损坏主要由欧姆电极金属的电迁移引起，并把它作为主要的失效模式。GaAs FET的几种主要失效模式为：源一漏欧姆接触电阻劣变，由浪涌脉冲造成电极的破坏，通电工作时器件特性的漂移等。因此，要实现GaAsET的可靠性就要通过采取可靠性措施，消除和控制这些主要失效模式，表4.24是针对GaAs FET器件不同的失效（不良）模式所采取的可靠性设计措施。
有关GaAs FET的可靠性研究，1975年开始6B595N就有报告。早期的报告几乎全是关于耿氏二极管和碰撞雪崩二极管的失效分析，普遍认为器件特性的不良和劣化的原因主要由欧姆接触不良引起；器件的损坏主要由欧姆电极金属的电迁移引起，并把它作为主要的失效模式。GaAs FET的几种主要失效模式为：源一漏欧姆接触电阻劣变，由浪涌脉冲造成电极的破坏，通电工作时器件特性的漂移等。因此，要实现GaAsET的可靠性就要通过采取可靠性措施，消除和控制这些主要失效模式，表4.24是针对GaAs FET器件不同的失效（不良）模式所采取的可靠性设计措施。
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相关技术资料- 4-28针对GaAs FET器件的失效模式，采取相应的设计措施
- 4-27失效模式与工艺的楣关性分析及工艺控制要求
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