栅极上加偏压
发布时间:2012/5/19 20:18:32 访问次数:923
栅极上加偏压
照片2.4是输入信号Vi与FET的栅MSP430F135IPMR极电位vg的波形。%的交流成分就是能够通过耦合电容Cl的输入信号铆VI。
vg的直流成分是由Ri与Rz形成的1.7V电压。这个电压加在FET的栅极上，叫做栅偏压。与双极晶体管相同，FET也需要在栅极上加直流偏压。
栅极上加偏压
照片2.4是输入信号Vi与FET的栅MSP430F135IPMR极电位vg的波形。%的交流成分就是能够通过耦合电容Cl的输入信号铆VI。
vg的直流成分是由Ri与Rz形成的1.7V电压。这个电压加在FET的栅极上，叫做栅偏压。与双极晶体管相同，FET也需要在栅极上加直流偏压。
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- 5-21更换FET时的高频特性
- 5-19栅极上加偏压
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