MOS集成电路中，介质击穿ACT355是破坏性的，MOS栅的氧化层一旦发生击穿，器件就会失效。因此要采取一定的措施对接栅的输入端加以保护。图2.7给出了NMOS电路的几种输入保护形式。在图2.7(a)中，在输入端和地之间加一个反向的二极管，使其正向钳位于B VD，反向钳位于FVD，由于在输入端和VDD，输入端和输出端之间都有两个二极管——正负串联，所以使它们两端的电压正反向都钳位于F VD +B VD，从而保证了输入端的安全；图2.7(b)是一个栅源矩路的MOSFET输入保护电路，是利用MOSFET的源漏击穿进行保护的；图2.7(c)则利用MOS管漏衬P-N结调制击穿进行保护。

    图2.8给出了CMOS电路的几种保护形式，图2.8(a)是利用二极管D进行保护，对PMOS管的栅可以进行良好的保护，但对于NMOS管的栅，只能通过由二极管D和阱P-N结的反相串联所形成的P-N-P结加以保护，这就提高了击穿电压，所以对栅保护是不利的。图2.8(b)和图2.8(a)的情况类似，只是图2.8(b)中对NMOS管的保护性能较好；图2.8(c)利用电阻二极管进行保护，其输入正电位被钳位在V DD+VF，负电位被钳位在VSS- VF，保护电路中的电阻可以起良好的限流作用。