多数载流子保护环是通过减小多数载流子UT2301G电流产生电压降来达到防止闭锁效应发生作用的。因此，多数载流子保护环是向衬底材料中扩散相同类型杂质构成的。例如，N阱内扩散N+，或在P型衬底上扩散P+。从本质上说，多数载流子保护环是局部减小薄层电阻。
    多数载流子保护环的制作通常是在P阱外围，扩散P+保护环，并接上低电位；而N型衬底上靠P阱处扩散N+环，并接上电源电位（如图2. 59所示），其作用机理如下：假如横向PNP管的发射结处于正向，向N衬底注入空穴（少子），被集电极
P阱)所收集，在P阱内就成为多数截流子，一旦到多子保护环，就流出去了。减小了多数载流子电流流到P阱衬底，这样衬底电阻上的压降就大为减小，纵向NPN管的发射结就不易形成正偏。同理，若纵向NPN管处于正偏，注入的流子流到N型衬底就成为N型衬底上的多数载流子，被多数载流子保护环收集，就大大减少了流到N型衬底少数载流子，从而降低了衬底上的电压降，就减小了形成横向PNP管发射结正偏的条件。

    多数载流子保护环多用于会受到瞬态上冲的I/O电路，例如，在P阱CMOS中，力了能完全控制闭锁，在P阱内的NMOS管的I/O器件用接地的P+扩散包围起来，在衬底内PMOS管的I/O器件以N+扩散包围起来。同时，分别把P+保护环接地电位，N+保护环接电源，以固定它们本身的电位。
    对于N阱CMOS电路，也采取与P阱CMOS电路类似的措施，在N阱四周扩散N+环，而在P型衬底的NMOS管四周扩散P+环。
    输入保护电路和输出驱动级加有多数载流子保护环，这对于防止闭锁效应是极为重要的。