CMOS中P阱和N阱抗闭锁能力的比较
发布时间:2012/4/23 19:52:32 访问次数:3332
在目前流行的P阱和N阱CMOS工艺中，N阱CMOS工艺具有PI5C3390QEX更强的抗闭锁能力。由于N阱衬底的多子为电子，而P阱衬底的多子为空穴，体内的电子迁移率比空穴迁移率约高3.2倍(体内的电子迁移率约为l450crri2／(V．S)，空穴迁移率约为450cm2／(V．S》。这样，若N阱和P阱的掺杂浓度相同，则P阱的衬底电阻比N阱的衬底电阻约高3.2倍。因此，多数载流子在衬底电阻上所产生的电压在N阱CMOS中比P阱中要小。在N阱CMOS中寄生的中向双极晶体管是PNP型，其电流增益较低；而在P阱CMOS中寄生的中向双极晶体管是NPN型，电流增益较高。所有这些因素均意味着，N阱CMOS结构中产生“晶闸管闭锁效应”的几率较低。故N阱CMOS在抗闭锁能力较为好。对于实现系统集成，N阱CMOS与双极型兼容是优选的工艺。
在目前流行的P阱和N阱CMOS工艺中，N阱CMOS工艺具有PI5C3390QEX更强的抗闭锁能力。由于N阱衬底的多子为电子，而P阱衬底的多子为空穴，体内的电子迁移率比空穴迁移率约高3.2倍(体内的电子迁移率约为l450crri2／(V．S)，空穴迁移率约为450cm2／(V．S》。这样，若N阱和P阱的掺杂浓度相同，则P阱的衬底电阻比N阱的衬底电阻约高3.2倍。因此，多数载流子在衬底电阻上所产生的电压在N阱CMOS中比P阱中要小。在N阱CMOS中寄生的中向双极晶体管是PNP型，其电流增益较低；而在P阱CMOS中寄生的中向双极晶体管是NPN型，电流增益较高。所有这些因素均意味着，N阱CMOS结构中产生“晶闸管闭锁效应”的几率较低。故N阱CMOS在抗闭锁能力较为好。对于实现系统集成，N阱CMOS与双极型兼容是优选的工艺。
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