照片2.5是栅极电位u。与源TMS320F2809PZA极电位口。的波形。vg与口。都是交流振幅，相位完全相同。如照片2.4所示，吨和Vi的交流波形完全相同，所以源极电位口。与输入信号口．也具有完全相同的交流波形。
    可以看出FET的源极接地放大电路与双极晶体管的发射极接地放大电路相同，从源极取出的信号完全没有电压放大作用（电压增益为1）。
    但是当信号加到栅极，从源极取出信号时，却有电流放大作用。这个电路与双极晶体管的射极跟随器相当，所以称为源极跟随器。

              
    关于源极跟随器将在第4章详细讨论。
    照片2.5中示出了FET电路设计中的一个重要问题，就是栅极电位vg与源极电位铆。间的电位差。
    如照片2.4所示，口。的直流电位是1. 7V，口。的直流电位是2.1V，比vg高0.4V。就是说，在图2.1的电路中，FET栅极与源极之间的电压VGS为0.4V。源极电位压比栅极电位高(后面将要讲到并不是所有的FET都是0.4V)。
    如图2.4所示，双极晶体管基极与发射极间相当于接入一个二极管，晶体管在放大工作时基极一发射极间电压VBE为0.6～0.7V。而且对于NPN晶体管来说，发射极电位比基极低。