位置:51电子网 » 技术资料 » 通信网络

晶体管集电极损耗的计算

发布时间:2012/5/10 20:02:01 访问次数:2448

    下面,为了计算无信号(没有输入信号)时晶HCMS-2965体管的集电极损耗P。,求出集电极一发射极间电压VCE。
    如果将发射极的直流电位VE设置在电源电压与GND的中点,就能够取出最大的输出振幅(只要能取出最大输出电压,就没有必要这样设置)。
    为了简单设计该偏置电路,基极偏置电压VB希望取7.5V(电源电压与GND的中点),故将发射极电位设定在比它低0.6V(=VBE)的6.9V上。为此,晶体管的集电极一发射间电压VCE为8.1V( =15 -6.9)。
    因此,无信号时的晶体管集电极损耗为:

                             

    如在第2章所示,2SC2458的P。最大额定值为200mW,远远在额定值以下。
    然而,如图3.4所示,集电极损耗随环境温度会有很大变化。能够在多少度的环境温度下使用呢?要回答这个问题,必须预先对所设计电路的P。加以确定。
    与所设计电路的容许损耗P。是否超过最大额定值相比,容许损耗与坏境温度曲线在图中所处的位置更为重要。
    由图3.4可知,该电路直到环境温度85℃都能正常工作。容许集电极损耗与环境温度曲线图记载在晶体管的数据表中。但要注意,在功率晶体管中,经常是以安装散热器为前提的。
    射极跟随器大多用在电路的输出级。因为需要经常处理大电流,所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。

                        

    下面,为了计算无信号(没有输入信号)时晶HCMS-2965体管的集电极损耗P。,求出集电极一发射极间电压VCE。
    如果将发射极的直流电位VE设置在电源电压与GND的中点,就能够取出最大的输出振幅(只要能取出最大输出电压,就没有必要这样设置)。
    为了简单设计该偏置电路,基极偏置电压VB希望取7.5V(电源电压与GND的中点),故将发射极电位设定在比它低0.6V(=VBE)的6.9V上。为此,晶体管的集电极一发射间电压VCE为8.1V( =15 -6.9)。
    因此,无信号时的晶体管集电极损耗为:

                             

    如在第2章所示,2SC2458的P。最大额定值为200mW,远远在额定值以下。
    然而,如图3.4所示,集电极损耗随环境温度会有很大变化。能够在多少度的环境温度下使用呢?要回答这个问题,必须预先对所设计电路的P。加以确定。
    与所设计电路的容许损耗P。是否超过最大额定值相比,容许损耗与坏境温度曲线在图中所处的位置更为重要。
    由图3.4可知,该电路直到环境温度85℃都能正常工作。容许集电极损耗与环境温度曲线图记载在晶体管的数据表中。但要注意,在功率晶体管中,经常是以安装散热器为前提的。
    射极跟随器大多用在电路的输出级。因为需要经常处理大电流,所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。

                        

上一篇:选择晶体管

上一篇:输入输出阻抗

相关技术资料
5-10晶体管集电极损耗的计算

热门点击

 

推荐技术资料

耳机的焊接
    整机电路简单,用洞洞板搭线比较方便。EM8621实际采... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!