晶体管集电极损耗的计算
发布时间:2012/5/10 20:02:01 访问次数:2448
下面,为了计算无信号(没有输入信号)时晶HCMS-2965体管的集电极损耗P。,求出集电极一发射极间电压VCE。
如果将发射极的直流电位VE设置在电源电压与GND的中点,就能够取出最大的输出振幅(只要能取出最大输出电压,就没有必要这样设置)。
为了简单设计该偏置电路,基极偏置电压VB希望取7.5V(电源电压与GND的中点),故将发射极电位设定在比它低0.6V(=VBE)的6.9V上。为此,晶体管的集电极一发射间电压VCE为8.1V( =15 -6.9)。
因此,无信号时的晶体管集电极损耗为:
如在第2章所示,2SC2458的P。最大额定值为200mW,远远在额定值以下。
然而,如图3.4所示,集电极损耗随环境温度会有很大变化。能够在多少度的环境温度下使用呢?要回答这个问题,必须预先对所设计电路的P。加以确定。
与所设计电路的容许损耗P。是否超过最大额定值相比,容许损耗与坏境温度曲线在图中所处的位置更为重要。
由图3.4可知,该电路直到环境温度85℃都能正常工作。容许集电极损耗与环境温度曲线图记载在晶体管的数据表中。但要注意,在功率晶体管中,经常是以安装散热器为前提的。
射极跟随器大多用在电路的输出级。因为需要经常处理大电流,所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。
下面,为了计算无信号(没有输入信号)时晶HCMS-2965体管的集电极损耗P。,求出集电极一发射极间电压VCE。
如果将发射极的直流电位VE设置在电源电压与GND的中点,就能够取出最大的输出振幅(只要能取出最大输出电压,就没有必要这样设置)。
为了简单设计该偏置电路,基极偏置电压VB希望取7.5V(电源电压与GND的中点),故将发射极电位设定在比它低0.6V(=VBE)的6.9V上。为此,晶体管的集电极一发射间电压VCE为8.1V( =15 -6.9)。
因此,无信号时的晶体管集电极损耗为:
如在第2章所示,2SC2458的P。最大额定值为200mW,远远在额定值以下。
然而,如图3.4所示,集电极损耗随环境温度会有很大变化。能够在多少度的环境温度下使用呢?要回答这个问题,必须预先对所设计电路的P。加以确定。
与所设计电路的容许损耗P。是否超过最大额定值相比,容许损耗与坏境温度曲线在图中所处的位置更为重要。
由图3.4可知,该电路直到环境温度85℃都能正常工作。容许集电极损耗与环境温度曲线图记载在晶体管的数据表中。但要注意,在功率晶体管中,经常是以安装散热器为前提的。
射极跟随器大多用在电路的输出级。因为需要经常处理大电流,所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。