如该电路所示，在使用带有发射极负载电阻RE的射极跟TPS62112RSAT随器的情况下，无信号时的发射极电流IE（空载电流）有必要比最大输出电流大一些（理由在后面文中叙述）。
    由设计规格可知，最大输出电流是±2.5mA，然而，在这里取为IE =lOmA。
    另一方面，在集电极一基板间与集电极一发射极间有可能加上最大15V电源电压。这是在输入大振幅的信号时，使得发射极电位训下降到GND电位的情况。
    因此，选择该电路使用的晶体管各项指标如下：Ie=lOmA以上，集电极一基极间电压VCBO与集电极一发射极间电压VCEO最大额定值为15V以上。
    在这里，选择NPN型通用小信号晶体管2SC2458（东芝）。这与第2章使用过的晶体管相同。电特性也曾表示在表2.1中。
    顺便提一下，用PNP型晶体管的电路表示在图3.3中。与共发射极放大电路一样，它是将图3.1电路中的电源与GND进行交换之后的电路。