ESD失效分析
发布时间:2012/4/22 17:04:44 访问次数:1782
ESD失效可能是永久性的，也可能是潜在的。永久性的ESD失效UC3842与由于硅中的局部发热引起的材料损坏有关，可能是因为金属互连失效，也可能是由于CMOS栅介质失效。潜在的ESD失效引起电路性能的退化，影响寿命，详细的机理正在
进行研究。ESD失效分析对于设计者改进ESD失效问题，对于找出ESD失效区域，最终来改进ESD设计来说是非常重要的。失效分析工具包括破坏性的和非破坏性的。简单的失效分析工具包括光学显微镜和SEM，液体晶体分析可以用于精确定位ESD失效点。其方法是将芯片放置在热夹具(hot chuck)上，上面覆盖液体晶体，然后对芯片加电，并观察它。通过绘制发射图像，图片发射显微镜能够提供加电芯片pin-point级的精确的失效分析。对芯片进行处理后再观察SEM图像，就可以观察到详细的层一层ESD损坏。通过对不同工艺、不同ESD结构的失效研究，可以发现许多独特的ESD失效机埋。其中包括在NMOS漏扩散区域典型的ESD失效；在NMOS栅氧的简单的ESD失效；由于多指型结构的非均匀开启，在NMOS结构的一个指型中出现ESD损伤；在门阵列中的接触开裂型融化损坏；可以采用光发射显微镜技术对ggNMOS ESD结构的栅进行典型的ESD失效研究。
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