为了分析FET高频特性劣MSP430F135IPMR化的原因，我们测定同一电路中仅仅更换FET时的频率特性。
    图3.19是图3.1电路中用2SK241替换2SK184GR时的高频特性，这种高频放大用FET的频率特性优良，截止频率fch为15. 2MHz，约是2SK184的3倍。
    图3.20是图3.1电路中采用功率开关用N沟MOSFET 2SK612 (NEC)时的高频特性。电压增益出现了峰值，ch为800kHz处的值降低。但是这是仅仅更换了FET的情况，如果重新设置工作点，还可以得到改善。
    在高频范围电压增益下降的原因，如照片3.8所示主要是由于装机时装配不当，使高频特性受到影响。
    为了改善高频特性，在实际装机时布线要短，尽量降低GND的高频阻抗，并且要采用屏蔽罩。
    此外，与使用双极晶体管时情况相同，米勒现象也会使高频特性下降。