由具有放大功能的半导体分立器XC6203P302PR件组成的电路，在高频或超高频工作时，必须防止由于寄生耦合而产生的寄生振荡。防寄生耦合应根据具体情况采取必要的措施。
    (1)防电源内阻耦合
    电源内阻过大，有可能造成半导体分立器件组成的放大电路产生振荡，防电源内阻耦合的实施要点如下：
    ①去耦电容器的容量应根据电源负载电流交流分量的大小来确定，一般情况下，电路的速度越高，它从电源所取电流的脉冲分量就越大。
    ②去耦电容器的品种应选择等效串联电阻和等效串职电感小的电容器，一般选择瓷介电容器中的独石电容器，但需注意其低压失效的问题。
    ③去耦电容器的安装位置应尽量靠近半导体分立器件组成的放大电路电源引线，以减小连线电感对去耦效果的影响。
    ④应充分考虑去耦电容量增大带来的电源启动过冲电流增大的副作用。因此必须避免不合理地增大去耦电容器的容量，并在必要时采取抑制电源启动过冲电流的措施，如使电源具有“软启动”或采用电感器或电阻器加去耦电容器组成的“T”形滤波器。 

            
    (2)防布线寄生耦合
    造成布线寄生耦合的原因及影响耦合强度的因素如下：
    ①布线电阻自耦合由半导体分立器件组成的放大电路自身的电流在自身的连线电阻上的压降造成，布线电阻互耦合由其他电路的电流在公共连线电阻上的压降造成。布线电阻自耦合和互耦合随连线长度而增加，截面积减少而增强。
    ②布线电容自耦合由半导体分立器件组成的放大电路自身的交变电压通过自身两条连线之间的电容造成。布线电容互耦合由其他电路的交变电压通过各自有关连线之间的耦合造成。布线电容互耦合和自耦合随各自表面积增大，相互间距离减少以及介质常数增大而增强。
    ③布线电感自耦合由半导体分立器件组成的放大电路自身的交变电流通过自感造成。布线电感互耦合由其他电路的交变电流通过互感形成。布线电感自耦合和互耦合随有关连线所形成环的面积增大而增强。
    在半导体分立器件选用时应注意其类型选择。表4. 35列出二极管类型选择规则，表4. 36列出晶体管类型选择规则，可供参考。