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SCR ESD器件

发布时间:2012/4/22 16:34:51 访问次数:2999

    由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作为极好的ESD保护器件。图2. 27和图2.28分别给出了一个典型的SCR截面图和等效电路。当ESD脉冲在阳极A端出现,通过K端泄放时,ESD脉冲首先击穿纵向PN( Q1)的BC结,所产生的空穴通过寄生衬底电阻R。。。流动,从而使横向NPN Qz的VBE增加,直到将它打开,从而触发SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD电流,同时低的保持电压将A PAD钳位到一个安全的电平,以防止任何ESD损害。SCR是非常有效的ESD保护结构,由于它具有较强的电流保持能力,所以它所占用面积很小。但是需要仔细设计以预防可能的latch-up效应。例如,它的保持电流必须设计得比芯片上的其他电流高。需要采用适当隔离的双保护环和布局,以预防早期触发。SCR还有一个缺点,即在相反方向的ESD保护是靠寄生二极管来完成的,这样就使许多高压和混合信号集成电路的性能下降。

                        

    由于SCR器件具有深snapback卜V特性,所以可以MP1410作为极好的ESD保护器件。图2. 27和图2.28分别给出了一个典型的SCR截面图和等效电路。当ESD脉冲在阳极A端出现,通过K端泄放时,ESD脉冲首先击穿纵向PN( Q1)的BC结,所产生的空穴通过寄生衬底电阻R。。。流动,从而使横向NPN Qz的VBE增加,直到将它打开,从而触发SCR,形成低阻抗的有效通道,泄放ESD电流,同时低的保持电压将A PAD钳位到一个安全的电平,以防止任何ESD损害。SCR是非常有效的ESD保护结构,由于它具有较强的电流保持能力,所以它所占用面积很小。但是需要仔细设计以预防可能的latch-up效应。例如,它的保持电流必须设计得比芯片上的其他电流高。需要采用适当隔离的双保护环和布局,以预防早期触发。SCR还有一个缺点,即在相反方向的ESD保护是靠寄生二极管来完成的,这样就使许多高压和混合信号集成电路的性能下降。

                        

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