图3.21是FET的内部电容。在FET内MSP430F2132IPWR部各极间的极间电容有CGD、CGS和CDS。
    图3.22(a)是考虑到这些电容时的源极接地放大电路。这里的主要问题是栅极一漏极间电容CGD。
    设栅极的交流输入电压为VI由于漏极的输出电压为-vi .AV（负号表示相位相反），所以CGD两端的电压为vi(l+AV)（- vi．AV）。因此，流过CGD的电流是只加可，时的1+AV倍（因为CGD两端加电压为vi(l+A，))。

                
    因此，如果从栅极端看CGD，看到的是具有1+AV倍电容量的电容（因为加相同的电压Vi时CGD流量级的小电容）
    过vi(l+A，)倍的电流）。这就是所谓的米勒(Mill-er)效应所产生的现象。
    由于这种米勒效应，源极接地放大电路的输入电容Ci变为1+A，倍的CGD与CGS之和。这样，Ci写信号源的输出阻抗Rge。就构成了低通滤波器。所以，在高频范围电路的放大倍数降低了。
    在FET的数据表中，将CGD叫做反馈电容Crss，将CGS叫做输入电容Ciss。