MOS集成电路主要TL431采用MOS晶体管来作为有源器件。所谓MOS晶体管是金属一氧化物一半导体构成的场效应晶体管，它是靠半导体表面电场效应感生的导电沟道进行工作的。工作时只有一种载流子参加导电，所以称之为单极晶体管。
    MOS晶体管是单极型电压控制器件，而双极晶体管是电流控制器件。
    与双极型器件相比，MOS晶体管有以下优点：
    ①输入阻抗高。
    ②噪声小。
    ③抗干扰能力强。
    ④功耗小，仅仅是双极电路的百分之一到十分之一。
    MOS晶体管的主要缺点是工作速度较低。但由于CMOS电路的出现，大大提高了工作速度。
    在MOS电路中，可用MOS管代替电阻，即用有源负载代替无源负载。根据MOS晶休管工作模式的不同，MOS电路又分为E/E MOS（有源器件和负载器件均为增强型）和E/D MOS（有源器件为增强型，负载器件为耗尽型）。在MOS电路中各元件之间存在天然的隔离，因为漏区、源区和导电沟道与衬底之间都构成PN结，而PN结处于反偏截止状态，实现了自隔离，免去了双极集成电路的隔离墙，从而提高了集成度。
    根据MOS管中栅极材料的不同，MOS IC又分为铝栅（以金属铝作栅电极）和硅栅（以多晶硅材料作为栅电极）两种。
    MOS集成电路早期是用空穴作为导电载流子的PMOS集成电路，由于NMOS管阈值电压控制问题得以解决以及硅栅自对准工艺的发展，使NMOS集成电路得到了迅速发展，并取代了PMOS集成电路。NMOS电路比PMOS电路在速度上有很大提高，但是NMOS电路有较大的静态功耗，限制了集成度的提高。CMOS集成电路（即含有PMOS、NMOS两种晶体管的互补MOS电路）具有逻辑摆幅大、功耗低、抗干扰能力强等优点，在20世纪80年代发展成为VLSI的主流技术。CMOS集成电路分N阱、P阱和双阱结构。CMOS电路的特点为：

    ①静态功耗低，一般在微瓦数量级，比单沟道MOS电路低一个数量级，比双极型电路要低几个数量级。
    ②允许电源电压波动范围大，可达3—18V。
    ③抗干扰能力强。
    ④工作速度高，接近双极型TTL电路的工作速度。
    ⑤扇出系数大，比单沟道MOS大一倍，比TTL大4～5倍。
    ⑥输出逻辑摆幅大。
    CMOS电路的主要缺点有两个，一是工艺比单沟道MOS电路复杂，技术要求高；二是集成度比单沟道MOS电路低，但远比双极型集成电路高。