单片集成电路
发布时间:2012/4/21 19:23:27 访问次数:1758
集成电路按工艺材料分为STK1261单片集成电路和混合集成电路。单片集成电路又称半导体集成电路，是在硅平面技术的基础上发展起来的。利用氧化、扩散、注入、外延、光刻、蒸发等一整套平面技术，将电路中的所有电子元器件做在一块半导体基片上，用特殊的结构使电子元器件在电性能上相互隔离，电子元器件之间必要的连接是用蒸发或溅射铝层或其他导电金属层，并用光刻法刻蚀所需要的金属条（或其他材料，如多晶硅）来实现。半导体材料一般用硅(Si)，在某些应用领域，如高频领域，有的采用砷化镓(GaAs)材料。
双极型集成电路
双极型集成电路采用双极晶体管作为有源器件。双极晶体管的工作依赖于两种极性的载流子（电子和空穴）。在双极型IC中，双极型晶体管和二极管的制法与硅平面型半导体器件相同；电阻是利用具有一定宽长比的掺杂区或金属层或多晶硅薄膜构成；电容是利用半导体器件中的PN结电容，或者利用二氧化硅层作为绝缘层，两侧被覆导体层或导体层和多晶硅这样一种结构而构成。双极型集成电路中的晶体管分为NPN管和PNP管。在某些电路中采用多发射极NPN管，超B晶体管、可控增益PNP管、复合晶体管，以及结型场效应晶体管(JFET)。
双极型集成电路
双极型集成电路采用双极晶体管作为有源器件。双极晶体管的工作依赖于两种极性的载流子（电子和空穴）。在双极型IC中，双极型晶体管和二极管的制法与硅平面型半导体器件相同；电阻是利用具有一定宽长比的掺杂区或金属层或多晶硅薄膜构成；电容是利用半导体器件中的PN结电容，或者利用二氧化硅层作为绝缘层，两侧被覆导体层或导体层和多晶硅这样一种结构而构成。双极型集成电路中的晶体管分为NPN管和PNP管。在某些电路中采用多发射极NPN管，超B晶体管、可控增益PNP管、复合晶体管，以及结型场效应晶体管(JFET)。
集成电路按工艺材料分为STK1261单片集成电路和混合集成电路。单片集成电路又称半导体集成电路，是在硅平面技术的基础上发展起来的。利用氧化、扩散、注入、外延、光刻、蒸发等一整套平面技术，将电路中的所有电子元器件做在一块半导体基片上，用特殊的结构使电子元器件在电性能上相互隔离，电子元器件之间必要的连接是用蒸发或溅射铝层或其他导电金属层，并用光刻法刻蚀所需要的金属条（或其他材料，如多晶硅）来实现。半导体材料一般用硅(Si)，在某些应用领域，如高频领域，有的采用砷化镓(GaAs)材料。
双极型集成电路
双极型集成电路采用双极晶体管作为有源器件。双极晶体管的工作依赖于两种极性的载流子（电子和空穴）。在双极型IC中，双极型晶体管和二极管的制法与硅平面型半导体器件相同；电阻是利用具有一定宽长比的掺杂区或金属层或多晶硅薄膜构成；电容是利用半导体器件中的PN结电容，或者利用二氧化硅层作为绝缘层，两侧被覆导体层或导体层和多晶硅这样一种结构而构成。双极型集成电路中的晶体管分为NPN管和PNP管。在某些电路中采用多发射极NPN管，超B晶体管、可控增益PNP管、复合晶体管，以及结型场效应晶体管(JFET)。
双极型集成电路
双极型集成电路采用双极晶体管作为有源器件。双极晶体管的工作依赖于两种极性的载流子（电子和空穴）。在双极型IC中，双极型晶体管和二极管的制法与硅平面型半导体器件相同；电阻是利用具有一定宽长比的掺杂区或金属层或多晶硅薄膜构成；电容是利用半导体器件中的PN结电容，或者利用二氧化硅层作为绝缘层，两侧被覆导体层或导体层和多晶硅这样一种结构而构成。双极型集成电路中的晶体管分为NPN管和PNP管。在某些电路中采用多发射极NPN管，超B晶体管、可控增益PNP管、复合晶体管，以及结型场效应晶体管(JFET)。
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