BiMOS集成电路
发布时间:2012/4/21 19:27:00 访问次数:2331
双极型集成电路的LTH4054优势主要体现在速度和驱动能力两个方面，但功耗大，集成度低；而MOS集成电路具有功耗低、抗干扰能力强和高集成度的优点。在一个单片集成电路中既包含MOS电路，又包含双极型电路的IC称之为BiMOS集成电路。BiMOS集成电路一般分为输入级、主体电路和输出级三部分。一般工艺途径为输入级和输出级采用一种工艺，主体电路采用另外一种工艺。当主体电路要求速度快时，采用双极工艺。输入、输出采用MOS工艺；当主体逻辑功能电路要求高集成度、输入、输出级高速度或输出要求驱动能力时，主体电路采用MOS工艺，而输入、输出级采用双极工艺。如果BiMOS篥成电路中MOS部分采用MOS工艺，称之为BinMOS电路。有时简称为BiMOS电路。若BiMOS电路中的MOS电路部分采用CMOS工艺，则称之为BiCMOS电路。现在BiMOS电路的大部分为BiCMOS电路。
GaAs集成电路
采用砷化镓(GaAs)半导体材料制造的单片集成电路称之为GaAs集成电路。它是继硅集成电路之后的一种半导体集成电路。砷化镓材料的特点是载流子迁移率远比硅高，因而其最大的优点是速度快，数字电路的开关速度为皮秒( ps)数量级。GaAs集成电路可广泛应用于微波领域，制成微波集成发射／接收组件，微波低噪声放大器、微波功率放大器、微波振荡器，以及各种微波集成控制电路，如微波混频器、微波调制器、微波转换开关、微波移相器、微波衰减器等。
GaAs集成电路
采用砷化镓(GaAs)半导体材料制造的单片集成电路称之为GaAs集成电路。它是继硅集成电路之后的一种半导体集成电路。砷化镓材料的特点是载流子迁移率远比硅高，因而其最大的优点是速度快，数字电路的开关速度为皮秒( ps)数量级。GaAs集成电路可广泛应用于微波领域，制成微波集成发射／接收组件，微波低噪声放大器、微波功率放大器、微波振荡器，以及各种微波集成控制电路，如微波混频器、微波调制器、微波转换开关、微波移相器、微波衰减器等。
双极型集成电路的LTH4054优势主要体现在速度和驱动能力两个方面，但功耗大，集成度低；而MOS集成电路具有功耗低、抗干扰能力强和高集成度的优点。在一个单片集成电路中既包含MOS电路，又包含双极型电路的IC称之为BiMOS集成电路。BiMOS集成电路一般分为输入级、主体电路和输出级三部分。一般工艺途径为输入级和输出级采用一种工艺，主体电路采用另外一种工艺。当主体电路要求速度快时，采用双极工艺。输入、输出采用MOS工艺；当主体逻辑功能电路要求高集成度、输入、输出级高速度或输出要求驱动能力时，主体电路采用MOS工艺，而输入、输出级采用双极工艺。如果BiMOS篥成电路中MOS部分采用MOS工艺，称之为BinMOS电路。有时简称为BiMOS电路。若BiMOS电路中的MOS电路部分采用CMOS工艺，则称之为BiCMOS电路。现在BiMOS电路的大部分为BiCMOS电路。
GaAs集成电路
采用砷化镓(GaAs)半导体材料制造的单片集成电路称之为GaAs集成电路。它是继硅集成电路之后的一种半导体集成电路。砷化镓材料的特点是载流子迁移率远比硅高，因而其最大的优点是速度快，数字电路的开关速度为皮秒( ps)数量级。GaAs集成电路可广泛应用于微波领域，制成微波集成发射／接收组件，微波低噪声放大器、微波功率放大器、微波振荡器，以及各种微波集成控制电路，如微波混频器、微波调制器、微波转换开关、微波移相器、微波衰减器等。
GaAs集成电路
采用砷化镓(GaAs)半导体材料制造的单片集成电路称之为GaAs集成电路。它是继硅集成电路之后的一种半导体集成电路。砷化镓材料的特点是载流子迁移率远比硅高，因而其最大的优点是速度快，数字电路的开关速度为皮秒( ps)数量级。GaAs集成电路可广泛应用于微波领域，制成微波集成发射／接收组件，微波低噪声放大器、微波功率放大器、微波振荡器，以及各种微波集成控制电路，如微波混频器、微波调制器、微波转换开关、微波移相器、微波衰减器等。
相关技术资料- 4-21BiMOS集成电路
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