差动放大电路的应用电路
发布时间:2012/5/17 20:07:50 访问次数:3788
图11.18表示的是进行了渥尔曼一自举化MT46H64M16LFCK-6IT的差动放大电路。图11.18(a)和图11.18(b)是分别将NPN、PNP晶体管的差动电路进行渥尔曼一自举化的电路。这样,能够将渥尔曼化之后的差动放大电路作进一步的自举化。
该电路共基极电路部分晶体管(Tr3,Tr4)的基极偏置电压是以共发射极部分的晶体管(Tri,Tr2)的发射极为基准而制作的(具体的是在Tr3、Tr4的基极与Tri、Tr2的发射极间加入齐纳二极管)。即使输入信号电平发生变化而引起Tri与Tr2的发射极电位发生变化,而Tri与Trz的集电极一发射极间电压也经常保持一定而进行工作。
这样一来,在输入信号变大时,频率特性和输入输出间的线性变好,直到高频范围,电路都稳定地进行工作。
对渥尔曼化后的差动放大电路进行自举化,则在图11. 17电路发生的“电路能输入的同相信号的振幅被限制”的问题就没有了。
这是由于Tri与Tr2的集电极电位不是被固定在电源或GND,而是随输入信号发生变化,所以即使同相输入信号电平变大,也没有受到电位限制的缘故。
渥尔曼一自举部分的设计仅是选择齐纳二极管,即决定在齐纳二极管上流动的电流。
Tri与Tr2的集电极一发射极间电压为齐纳二极管所产生的齐纳电压减去Tr3或Tr4的VBE(一0.6V)之后的值。
在渥尔曼电路中,共发射极电路侧的集电极一发射极间电压希望设定在2V以上(为了不增大),所以在囹11.18电路中,使用3V的齐纳二极管H23BLL(日立)。为此,Tri与Tr2的集电极一发射极间电压为2.4V(一3V-O.6V)。
由于齐纳二极管上流动的电流是仅仅供给Tr3与Tr4的基极电流,所以没有必要做得那么大,考虑到晶体管的^ FE,它为Tr3与Tr4的发射极电流的1/10即可。
还有,齐纳二极管上流动的电流是直接流到恒流源的,若设定在太大的值,则Tri与Tr2的发射极电流就减少。从这个意义上讲,齐纳二极管的电流也设定在对Tri与Tr2的发射极电流可以忽略的程度上,即设定在1/10左右即可。
在图11.18(a)的电路中,齐纳二极管上流动的电流设定为0.ImA(Tri,Trz的发射极电流的1/10)。A点的电位为-0.6V(因为Tri与Trz的基极被偏置在OV),所以正电源与齐纳二极管之间加入的电流限制电阻上加上12. 6V(一15.6V-3V),的电压。为此,在该电路,电流限制电阻设为130kfl(~12.6VlO.ImA)。
图11.18 (b)电路是仅将晶体管换成PNP电路常数等均与图11.18(a)-样。还有,虽然与渥尔曼一自举电路无关,在图11. 18电路中,恒流源的晶体管Trs昀偏置电压是用齐纳二极管产生的。这样一来,即使电源电压变动,Trs的发射极电阻上所加的电压也不发生变化,所以这是抗电源电压变动、抗电源噪声强的电路。
图11.18表示的是进行了渥尔曼一自举化MT46H64M16LFCK-6IT的差动放大电路。图11.18(a)和图11.18(b)是分别将NPN、PNP晶体管的差动电路进行渥尔曼一自举化的电路。这样,能够将渥尔曼化之后的差动放大电路作进一步的自举化。
该电路共基极电路部分晶体管(Tr3,Tr4)的基极偏置电压是以共发射极部分的晶体管(Tri,Tr2)的发射极为基准而制作的(具体的是在Tr3、Tr4的基极与Tri、Tr2的发射极间加入齐纳二极管)。即使输入信号电平发生变化而引起Tri与Tr2的发射极电位发生变化,而Tri与Trz的集电极一发射极间电压也经常保持一定而进行工作。
这样一来,在输入信号变大时,频率特性和输入输出间的线性变好,直到高频范围,电路都稳定地进行工作。
对渥尔曼化后的差动放大电路进行自举化,则在图11. 17电路发生的“电路能输入的同相信号的振幅被限制”的问题就没有了。
这是由于Tri与Tr2的集电极电位不是被固定在电源或GND,而是随输入信号发生变化,所以即使同相输入信号电平变大,也没有受到电位限制的缘故。
渥尔曼一自举部分的设计仅是选择齐纳二极管,即决定在齐纳二极管上流动的电流。
Tri与Tr2的集电极一发射极间电压为齐纳二极管所产生的齐纳电压减去Tr3或Tr4的VBE(一0.6V)之后的值。
在渥尔曼电路中,共发射极电路侧的集电极一发射极间电压希望设定在2V以上(为了不增大),所以在囹11.18电路中,使用3V的齐纳二极管H23BLL(日立)。为此,Tri与Tr2的集电极一发射极间电压为2.4V(一3V-O.6V)。
由于齐纳二极管上流动的电流是仅仅供给Tr3与Tr4的基极电流,所以没有必要做得那么大,考虑到晶体管的^ FE,它为Tr3与Tr4的发射极电流的1/10即可。
还有,齐纳二极管上流动的电流是直接流到恒流源的,若设定在太大的值,则Tri与Tr2的发射极电流就减少。从这个意义上讲,齐纳二极管的电流也设定在对Tri与Tr2的发射极电流可以忽略的程度上,即设定在1/10左右即可。
在图11.18(a)的电路中,齐纳二极管上流动的电流设定为0.ImA(Tri,Trz的发射极电流的1/10)。A点的电位为-0.6V(因为Tri与Trz的基极被偏置在OV),所以正电源与齐纳二极管之间加入的电流限制电阻上加上12. 6V(一15.6V-3V),的电压。为此,在该电路,电流限制电阻设为130kfl(~12.6VlO.ImA)。
图11.18 (b)电路是仅将晶体管换成PNP电路常数等均与图11.18(a)-样。还有,虽然与渥尔曼一自举电路无关,在图11. 18电路中,恒流源的晶体管Trs昀偏置电压是用齐纳二极管产生的。这样一来,即使电源电压变动,Trs的发射极电阻上所加的电压也不发生变化,所以这是抗电源电压变动、抗电源噪声强的电路。
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