干法腐蚀中的损伤效应及其工艺控制要求
发布时间:2012/4/27 19:49:14 访问次数:661
物理干法腐蚀是非选择性的腐蚀，是一种碰撞过程，属定向刻蚀，它包括2SC3425反应离子刻蚀和化学一物理干法腐蚀，它们都是以等离子体为基础的腐蚀方法，对制造微米级精细结构更为关键。反应离子刻蚀会引起器件反向漏电流增大。化学一物理干法腐蚀是选择性的，对不同材料有较大差别。使用离子轰击或离子轰击加涂层会改变和损伤绝缘体和被腐蚀半导体的特性。等离子体产生的高能光子增大这种损伤将加重。由离子轰击连同涂层形成物或高能光子所产生的损伤都可归于：
①内部的键损伤。
②腐蚀物质和杂质掺杂。
③残渣或表面薄膜生成物，这些残渣将使器件的正向压降增大。
为消除干法腐蚀工艺对产品可靠性的影响，应对离子能量进行控制。
①内部的键损伤。
②腐蚀物质和杂质掺杂。
③残渣或表面薄膜生成物，这些残渣将使器件的正向压降增大。
为消除干法腐蚀工艺对产品可靠性的影响，应对离子能量进行控制。
物理干法腐蚀是非选择性的腐蚀，是一种碰撞过程，属定向刻蚀，它包括2SC3425反应离子刻蚀和化学一物理干法腐蚀，它们都是以等离子体为基础的腐蚀方法，对制造微米级精细结构更为关键。反应离子刻蚀会引起器件反向漏电流增大。化学一物理干法腐蚀是选择性的，对不同材料有较大差别。使用离子轰击或离子轰击加涂层会改变和损伤绝缘体和被腐蚀半导体的特性。等离子体产生的高能光子增大这种损伤将加重。由离子轰击连同涂层形成物或高能光子所产生的损伤都可归于：
①内部的键损伤。
②腐蚀物质和杂质掺杂。
③残渣或表面薄膜生成物，这些残渣将使器件的正向压降增大。
为消除干法腐蚀工艺对产品可靠性的影响，应对离子能量进行控制。
①内部的键损伤。
②腐蚀物质和杂质掺杂。
③残渣或表面薄膜生成物，这些残渣将使器件的正向压降增大。
为消除干法腐蚀工艺对产品可靠性的影响，应对离子能量进行控制。
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