(1)金属化工艺对器件FMU22U可靠性的影响分析
    影响金属化工艺可靠性的因素主要有：
    ①W丝制造（拉丝）时一般采用NaOH电解膺蚀穿丝（模具）尖端，致使拉丝模具有Na+沾污。故在采用W丝加热真空蒸发金属(Al、Au、Cr、Ni)时，器件钝化氧化层会使Na+沾污，使器件稳定性降低，如双极器件漏电流增加，MOS器件阈电压漂移。
    ②在光刻窗口边缘，金属化条一般比其他地方薄得多，工艺控制不佳会导致台阶处的金属化条断开；或是台阶处金属化很薄，暂尚未造成断开，但经过长期加电工作，此台阶处的金属化首先形成电迁移效应，使其在台阶处断开，造成器件失效。对于百瓦级微波功率管，金属化台阶有3000多个，因此必须在工艺上设法加厚台阶处的金属化厚度。
    ③在金属化与硅接触处（如Al-Si接触），由于Si向Al中的固态溶解过渡，在Si-Al接触处会产生腐蚀坑，使P-N结局部短路，结特性退化。
    ④GaAs MESFET在长期工作时，会出现两种情况：一种是GaAs中的镓向金属化条扩散，造成接触失效，解决方法是在金属化层之间加一层阻挡层金属。另一种是栅金属与GaAs界面反应，使界面向沟道移动，造成栅下沉，器件失效，解决方法是控制金属化厚度，用TiWAu，TiPtAu代替单金属(Al、Au)栅。
    ⑤金属化条的机械划伤多发生在片子清洗、划片、中测、装架等工序中。金属化条划伤会造成过早的电徙动效应，使器件早期失效。
    ⑥溅射工艺由于高能离子对硅片的轰击，会造成器件的表面缺陷，导致器件击穿性能劣变，漏电流下降，hFE降低。
    表4. 14介绍了Si、GaAs器件关键工艺及参数控制的方法。