p8000 电压对管子导电性能的影响
发布时间:2020/1/30 22:05:43 访问次数:894
p8000ui=(0.1 mA/V2)[-0.4V-(-1Ⅴ)]2(1+0.1Ⅴ-1×4Ⅴ)=50.4 uA
由于考虑了沟道长度调制效应,在vDs=4Ⅴ时jD增加约14uA。
5.4.1 N沟道MESFET的工作频率为什么远高于硅JFET的工作频率?
5.4.2 为什么砷化镓P沟道MESFET几乎不用?N沟道MESFET的转移特性和输出特性与硅N沟道JFET是否相似?
各种FET的特性及使用注意事项,各种FET的特性比较前面讨论了MOSFET、JFET和MESFET,为帮助读者学习,现将各类FET的特性列于表5.5.1中。
值得指出的是,MOS器件的发展是很迅速的。目前在分立器件方面,MOs管已有多种大功率器件,在集成运放(含BiMOS运放)及其他模拟集成电路中,MOS电路也有很大发展。MOS器件更主要的是应用在数字(大规模和超大规模)集成电路方面,有关这方面的内容将在本书数字部分进行讨论。
JFET具有低噪声特点,在低噪声放大电路方面得到了广泛应用。
使用注意事项,在MOS管中,有的产品将衬底引出(这种管子有四个管脚),可让使用者视电路的需要任意连接。一般来说,应视P沟道、N沟道而异,P衬底接低电位,N衬底接高电位。但在某些特殊的电路中,当源极的电位很高或很低时,为了减轻源衬间电压对管子导电性能的影响,可将源极与衬底连在一起。
FET(包括结型和MOS型)通常制成漏极与源极可以互换,而其y~J特性没有明显的变化。但有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起,这时源极与漏极不能对调,使用时必须注意,场效应管放大电路.
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由于考虑了沟道长度调制效应,在vDs=4Ⅴ时jD增加约14uA。
5.4.1 N沟道MESFET的工作频率为什么远高于硅JFET的工作频率?
5.4.2 为什么砷化镓P沟道MESFET几乎不用?N沟道MESFET的转移特性和输出特性与硅N沟道JFET是否相似?
各种FET的特性及使用注意事项,各种FET的特性比较前面讨论了MOSFET、JFET和MESFET,为帮助读者学习,现将各类FET的特性列于表5.5.1中。
值得指出的是,MOS器件的发展是很迅速的。目前在分立器件方面,MOs管已有多种大功率器件,在集成运放(含BiMOS运放)及其他模拟集成电路中,MOS电路也有很大发展。MOS器件更主要的是应用在数字(大规模和超大规模)集成电路方面,有关这方面的内容将在本书数字部分进行讨论。
JFET具有低噪声特点,在低噪声放大电路方面得到了广泛应用。
使用注意事项,在MOS管中,有的产品将衬底引出(这种管子有四个管脚),可让使用者视电路的需要任意连接。一般来说,应视P沟道、N沟道而异,P衬底接低电位,N衬底接高电位。但在某些特殊的电路中,当源极的电位很高或很低时,为了减轻源衬间电压对管子导电性能的影响,可将源极与衬底连在一起。
FET(包括结型和MOS型)通常制成漏极与源极可以互换,而其y~J特性没有明显的变化。但有些产品出厂时已将源极与衬底连在一起,这时源极与漏极不能对调,使用时必须注意,场效应管放大电路.
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