NMC27CP128Q200 高频响应和上限频率
发布时间:2020/1/29 22:35:29 访问次数:1738
NMC27CP128Q200对交流信号短路,于是可画出图4.7.10a所示电路的高频小信号等效电路,如图4.7.10b所示。现按以下步骤进行分析:
求密勒电容由于电容Cb`c跨接在输人和输出回路之间,使电路分析较为复杂,为了方便起见,可将Cbc进行单向化处理,即将Cb`c等效变换到输人回路(b′-e之间)和输出回路中(c-e之间),如图4.7.10c所示。其变换过程如下:
图4.7.10 共射电路及其高频小信号等效电路,(a)共射电路原理图 (b)图4.710a的高频小信号等效电路
(c)图4.7.10b的密勒等效电路 (d)图4.7.10c的简化电路,放大宅路的频率响应.
简化为图4.7.10d的形式,其中C=Cb`e+CM1=Cb`e+(1+gmRL)Cb`c。
高频响应和上限频率,利用戴维宁定理将图4.7.10d所示的电路进一步变换为图4.7,11所示的形式,其中
ic=uyi=u・f.ukys,R=rb e‖(rbb`+Rb‖Rs)
图4.7.11 图4.7.10d的等效电路,这时只有输入回路含有电容元件,它与图4.7.2所示的RC低通电路相似。由此图及yu与ys的关系,可得图4.7.10a所示放大电路的高频源电压增益的表达式为rbe Rs+Rb‖rbe≈A rsM(4.7.27)
Au=-gmRt=1+jωRC
式中n-R=Rb‖rbc
=TRs+Rb‖rbe(中频即通带源电压增益) (4.7.28)
f=2πRc(上限频率)(⒋7.29)
A,sH的对数幅频特性和相频特性的表达式为201g|A吓H|=201g|A rsM|-201g
1+(r*H) (4.7.30a)
u= -180°-arctan(y//H) (4.7.30b)
式(4.7.30b)中的-180°表示中频范围内共射极放大电路的y。与ys反相,而arctan(ui)是等效电容C在高频范围内引起的相移,称为附加相移,一般放大电路的频率响应.
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NMC27CP128Q200对交流信号短路,于是可画出图4.7.10a所示电路的高频小信号等效电路,如图4.7.10b所示。现按以下步骤进行分析:
求密勒电容由于电容Cb`c跨接在输人和输出回路之间,使电路分析较为复杂,为了方便起见,可将Cbc进行单向化处理,即将Cb`c等效变换到输人回路(b′-e之间)和输出回路中(c-e之间),如图4.7.10c所示。其变换过程如下:
图4.7.10 共射电路及其高频小信号等效电路,(a)共射电路原理图 (b)图4.710a的高频小信号等效电路
(c)图4.7.10b的密勒等效电路 (d)图4.7.10c的简化电路,放大宅路的频率响应.
简化为图4.7.10d的形式,其中C=Cb`e+CM1=Cb`e+(1+gmRL)Cb`c。
高频响应和上限频率,利用戴维宁定理将图4.7.10d所示的电路进一步变换为图4.7,11所示的形式,其中
ic=uyi=u・f.ukys,R=rb e‖(rbb`+Rb‖Rs)
图4.7.11 图4.7.10d的等效电路,这时只有输入回路含有电容元件,它与图4.7.2所示的RC低通电路相似。由此图及yu与ys的关系,可得图4.7.10a所示放大电路的高频源电压增益的表达式为rbe Rs+Rb‖rbe≈A rsM(4.7.27)
Au=-gmRt=1+jωRC
式中n-R=Rb‖rbc
=TRs+Rb‖rbe(中频即通带源电压增益) (4.7.28)
f=2πRc(上限频率)(⒋7.29)
A,sH的对数幅频特性和相频特性的表达式为201g|A吓H|=201g|A rsM|-201g
1+(r*H) (4.7.30a)
u= -180°-arctan(y//H) (4.7.30b)
式(4.7.30b)中的-180°表示中频范围内共射极放大电路的y。与ys反相,而arctan(ui)是等效电容C在高频范围内引起的相移,称为附加相移,一般放大电路的频率响应.
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