HM658512LFP-12 沟道长度调制效应
发布时间:2020/1/30 21:56:45 访问次数:1487
HM658512LFP-12将上式中7Gs的表达式代入rD的表达式,得
rD=o.5×(1+0.4-2JD)2
解出JD=(0.95±0,64)mA,而rDss=o.5 mA,rD不应大于IDss,所以rD=0.31 mA,u/csQ =0.4-2rDQ=~o.22Ⅴ,yDsQ =yDD~rDQ(Rd+R) =8.1V。
计算结果表明,7DsQ=8.1V>(usQ-7P)=-0.22Ⅴ-(-1V)=0.78V,JFET的确工作在饱和区,与假设一致。因此前面的计算正确。
为什么JFET的输人电阻比MOSFET低?
JFET的栅极与沟道间的PN结在一般作为放大器件工作时,能用正向偏置吗?
BJT的发射结呢?耗尽型MOSFET呢?
图5.3.9所示符号各表示哪种沟道的JFET?其箭头方向代表什么?
5.3.4 由图5.3.10所示输出特性曲线,你能分别判断它们各代表何种器件吗?如是JFET管,请说明它属于何种沟道?
j=80 uA,VGs=0V
图5.3.10试分别画出N沟道和P沟道JFET的输出特性和转移特性示意图,并在特性曲线中标出JD、vDs、gh、IDss和u等参数,说明vDs、uGs和u在两种沟道JFET中的极性。
在低噪声电路的设计中,试说明为什么选用JFET而不用BJT?
结型场效应管是与硅JFET不同之一。具体地说,MESFET遵守下列等式的关系:
截止区(us(u)
JD=0 (5.4.1)
可变电阻区(tDs≤v Gs-u)
iD=Kn[2(tos-u)1,Ds-is](1+Ds) (5.4.2)
饱和区(%s)vcs-%)
jD=Kn(us-7P)2(1+入19 Ds)=rDss(1~u)(1+uo9Ds)(⒌⒋3)
其中沟道长度调制参数入通常在(0.05~0.2)Ⅴˉ1范围,N沟道MESFET器件u的典型值是(-0.5~-2.5)Ⅴ。
例5.4.1 -N沟道MESFET的参数民=0,1 mA/Ⅴ2,‰=-1Ⅴ,u=oi1V-1,试画出MEFSET的输出特性(在-1Ⅴ(vcs<0范围内以0.2Ⅴ间隔递增,在画出输出特性时,首先忽略,然后考虑沟道长度调制效应)。
解:用附录的PSPICE程序分析,可得所需曲线如图5.4.2所示。虚线和实线分别表示入=0和入=0.1Ⅴˉ1的情况。
图5.4.2 例5.4.1的输出特性
例5.4.2 -N沟道MESFET具有参数Kn=0.1 mA/V2和%=-1Ⅴ,当ucs=-0.4V、us=4Ⅴ时,器件工作在饱和区,试计算在入=0和入=0.1Vˉ1时的漏极电流iD。
解:在入=0时,漏极电流为
uD=Kn(vcs-7P)2 =(0.1 InA/Ⅴ2)[-0.4Ⅴ-(-1V)]2 =36 uA
当入=0.1Ⅴ-1时,漏极电流为jD=Kn(vcs-7P)2(1+λvDs),砷化镓金属一半导体场效应管.
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HM658512LFP-12将上式中7Gs的表达式代入rD的表达式,得
rD=o.5×(1+0.4-2JD)2
解出JD=(0.95±0,64)mA,而rDss=o.5 mA,rD不应大于IDss,所以rD=0.31 mA,u/csQ =0.4-2rDQ=~o.22Ⅴ,yDsQ =yDD~rDQ(Rd+R) =8.1V。
计算结果表明,7DsQ=8.1V>(usQ-7P)=-0.22Ⅴ-(-1V)=0.78V,JFET的确工作在饱和区,与假设一致。因此前面的计算正确。
为什么JFET的输人电阻比MOSFET低?
JFET的栅极与沟道间的PN结在一般作为放大器件工作时,能用正向偏置吗?
BJT的发射结呢?耗尽型MOSFET呢?
图5.3.9所示符号各表示哪种沟道的JFET?其箭头方向代表什么?
5.3.4 由图5.3.10所示输出特性曲线,你能分别判断它们各代表何种器件吗?如是JFET管,请说明它属于何种沟道?
j=80 uA,VGs=0V
图5.3.10试分别画出N沟道和P沟道JFET的输出特性和转移特性示意图,并在特性曲线中标出JD、vDs、gh、IDss和u等参数,说明vDs、uGs和u在两种沟道JFET中的极性。
在低噪声电路的设计中,试说明为什么选用JFET而不用BJT?
结型场效应管是与硅JFET不同之一。具体地说,MESFET遵守下列等式的关系:
截止区(us(u)
JD=0 (5.4.1)
可变电阻区(tDs≤v Gs-u)
iD=Kn[2(tos-u)1,Ds-is](1+Ds) (5.4.2)
饱和区(%s)vcs-%)
jD=Kn(us-7P)2(1+入19 Ds)=rDss(1~u)(1+uo9Ds)(⒌⒋3)
其中沟道长度调制参数入通常在(0.05~0.2)Ⅴˉ1范围,N沟道MESFET器件u的典型值是(-0.5~-2.5)Ⅴ。
例5.4.1 -N沟道MESFET的参数民=0,1 mA/Ⅴ2,‰=-1Ⅴ,u=oi1V-1,试画出MEFSET的输出特性(在-1Ⅴ(vcs<0范围内以0.2Ⅴ间隔递增,在画出输出特性时,首先忽略,然后考虑沟道长度调制效应)。
解:用附录的PSPICE程序分析,可得所需曲线如图5.4.2所示。虚线和实线分别表示入=0和入=0.1Ⅴˉ1的情况。
图5.4.2 例5.4.1的输出特性
例5.4.2 -N沟道MESFET具有参数Kn=0.1 mA/V2和%=-1Ⅴ,当ucs=-0.4V、us=4Ⅴ时,器件工作在饱和区,试计算在入=0和入=0.1Vˉ1时的漏极电流iD。
解:在入=0时,漏极电流为
uD=Kn(vcs-7P)2 =(0.1 InA/Ⅴ2)[-0.4Ⅴ-(-1V)]2 =36 uA
当入=0.1Ⅴ-1时,漏极电流为jD=Kn(vcs-7P)2(1+λvDs),砷化镓金属一半导体场效应管.
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