MAX3690ECJT定义u+与u-之差为回差电压,记作Δ%。由式(8.2.3)和式(8.2.4)可求得式(8.2.5)表明,电路的回差电压与对成正比,改变Ri、R2的比值即可调节回差电压的大小。

工作波形及电压传输特性,根据以上分析,可画出电路的工作波形及电压传输特性分别如图8.2.3(a)、(b)、(c)所示。从图8.2.3(a)可知,以v。端作为电路的输出,电路为同相输出施密特触发器;如果以u作为输出端,则电路为反相输出施密特触发器,它们的电压传输特性曲线分别如图8.2.3(b)、(c)所示。

脉冲波形的变换与产生,将DD=27m代人上式可得,选择r1、R2值为保证反相器G2输出高电平时的负载电流不超过最大允许值fH(m ax),应集成施密特触发器.

集成施密特触发器性能稳定,应用十分广泛,无论是CMOs还是TTL电路,都有单片的集成施密特触发器产品。现以CMOs集成施密特触发器CC40106为例介绍其工作原理。图8.2.4(a)、(b)所示分别为CC40106的电路图和逻辑符号。集成施密特触发器CC40106的内部电路由施密特电路、整形电路和输出电路三部分组成,其核心部分是施密特电路。图8.2.4(a)中TP7、TN和T、TN10组成两个首尾相连的反相器组成整形级,在吒上升和下降过程中,利用两级反相器的正反馈作用,可使输出波形的上升沿和下降沿陡直。输出级为TP11和TN12组成的反相器,它不仅能起到与负载隔离的作用,而且也可提高电路的带负载能力。

例8,2.1 在图8.2.2所示的电路中,电源电压yDD=10Ⅴ,G1、G2选用CC4069反相器,其负载电流最大允许值r0H(max)=1.3 mA.门的阈值电压,yTH≈yDD=5v,且u=0.5。

求图8.2.2所示施密特触发器电路的u+、y1・和Δ yT。

试选择r1、R2值。解:(1)求u+、u和ΔyT由式(8.2.3)、式(8,2.4)和式(8,2,5)可求出CMOs集成施密特触发器电路(a)电路图 (b)逻辑符号,TN4施密特电路,下面着重讨论施密特电路的工作原理。施密特电路由P沟道MOS管TP1~TP3、N沟道MOs管TN4~TN6组成,设P沟道MOs管的开启电压为7TP,N沟道MOS管开启电压为uN。

电路的输入信号vl为三角波。当vI=0时,TP1、TP2导通,TM、TN5截止,电路中吒为高电平(ud≈yDD),TP3截止,TN6导通,电路为源极跟随器。TN5的源极电位v s5≈yDD~7DsN6,该电位较高t0=yoHv1电位逐渐升高,当vl)%N时,TN4导通,由于TN5的源极电压″s5较大,即使oI>yDD,TN5仍截止。v1继续升高,直至TP1、TP2的栅源电压减小,使Tpl、TP2趋于截止,其内阻增大并使吨和v s5开始下降。当vI T vs5≥%N时,TN5才开始导通,并引起如下正反馈过程:

于是,T人5迅速导通,吨随之也急剧下降,致使TP3很快导通,并带动v s2下降,T截止,v0≈0。VI的继续升高,最终使TPl也完全截止,输出电压v。从高电平跳变为低电平vo=y0L0在7DD>>%N+|%p|的条件下,电路的正向阈值电压uh+远大于了7DD。

同理,在逐渐下降的过程中,在|vI-z s2|)|yrP|时,与″1上升过程类似,电路也会出现一个急剧变化的工作过程,使电路转换为v。为高电平,yH的状态。在钞I下降过程中的负向阈值电压yT~也远低于.

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