最常见的干法刻蚀设备是使用平行板电极的反应器。早期的桶式刻蚀设各,则是将电OPA4705EA极加在腔外,适合应用于等向性的刻蚀,如光刻胶的去除。为了提高等离子体的浓度,在反应离子刻蚀机(R⒍ac钿e Ion Etcher,RIE)中,加上磁场而成为磁场强化活性离子刻蚀机(Magneoc Enhanccd ReactheIon Etc・llel,MERIE)。另外,还有一部分刻蚀机改变激发等离子体的方式,并在低压下操作,这类刻蚀机称为高密度等离子体刻蚀机。它具有高等离子体密度和低离子轰击损伤等优点,已成为设各开发研究的热点,典型的设各有电子回旋共振式等离子体刻蚀机(Elcctron Cyclotron R邮011ance PhsmaEtchers,ECRPE)、变压耦合式等离子体刻蚀机(TraⅡformer C°up忆d Plasma,TCP)、感应耦合等离子体刻蚀机(Ind∝u次圩Coupkd Phsma RcactcDr,rPR)和螺旋波等离子体刻蚀机。在本节中介绍现今较为常用的刻蚀设备。

   RIE包含了一个高真空的反应腔,压力范围通常在1~1oO Pa,腔内有两个平行板状的电极。是RIE设各示意图,其中,一个电极与反应器的腔壁一起接地,另一个电极与晶片夹具接在RF产生器上(常用频率为13,56MHz)。当接通RF电源时,等离子体电位通常高于接地端。因此,即使将晶片放置于接地的电极上,也会受到离子的轰击,但此离子能量(0~100eV)远小于将晶片放置于接RF端的电极时的能量(100~1000eV)。