随着集成电路工艺向90nm以下发展,分辨率增强技术(RET)和极端分辨率增强技术(XRET)的应用不断增加,如OPC、PSM和SR剡ⅨSub R∞oltltlon AsFeature)等,S5PV210AA0-LA40这些技术的应用对检测带来了很大影响。S5PV210AA0-LA40由于OPC和SRAF需要增加分辨率和减小像素尺寸,从而大大增加了对小缺陷的敏感度,对缺陷发现率也提出了更高的要求;另外,由于PSM造成的刻线的3D结构,新的缺陷种类,以及处理大量数据的能力都对缺陷检测提出了更高的要求。⒛05年KL肛Ten∞r公司推出的基于Tcr稿can TR平台的新的检测方式,可以处理RET造成的缺陷。它包括STARllght2(SL2)、反射光检测、芯片与数据库间的三光束检测(Totol△e)三部分,其中反射光检测包括芯片与芯片之间和芯片与数据库之间。

   STARlight2的检测方式运用了创新的影像处理技术。利用STAR吣ht2,硅片代工厂可以实现高效率、低成本的掩膜再定检,从而保持I艺窗口的最大化,进而达到最高的生产良率。STAR坨ht2改良的检测方式使得缺陷检测能够在高密度的图形区域,甚至在掩模板的图形外框与切割道之间进行检测。随着193nm光刻技术的广泛应用,掩模板上雾状缺陷显著增加,这是由于掩模板清洗时化学试剂在强DUV照射下发生化学反应,在掩模板上形成了雾状缺陷。对于90nm以下工艺节点,Fab需要增加对掩模板的反复检测,以降低雾状缺陷对良率的影响。