OPC技术虽然可以减弱光学邻近效应,但却无法改善图形对比度。由于图S2EB-DC5V形边缘的散射会降低整体的对比度,使得光刻胶图形不再黑白分明,而是包含了很多灰色阴影区,无法得到所需图形。然而利用图形边缘的相消干涉,通过移相掩膜可以显著改善对比度。交替光圈移相掩模板(川tPSM)对石英衬底进行刻蚀,从而在亮l/K引人相位移。指定区域可以是黑色的(铬)、同相的(未刻蚀的石英)或异相的(刻蚀后的石英)。如果黑色图形的一边是刻蚀后的石英区,另外一边是没有刻蚀的石英区,那么两个相位的相干就会形成强烈的对比,从而大大改善图形对比度。但是,两者之间的相位干涉会形成一条并不需要的边缘,需要利用第二层掩模板对光刻胶图形中不需要的相位边缘进行修正。这种方法大大增加了川tPSM的复杂度,同时也给硅片制造T艺提出了新的挑战。两次曝光要求能够更加精确地控制套刻精度,同时也严重影响生产效率。