芯片工艺结束后的测量指的是完成工艺流片任务后,通过专门设计的微电子测试结构,测量芯片加工过程中各主要工序的工艺参数。 DAC08ESZ-REEL离线测试和分析指的是为了获得更充分的工艺参数数据,在工艺加工结束以后进行进一步的测试和分析。最典型的分析技术是微分析,即对器件中比最小尺寸还小一个数量级的微区的形貌、结构、组分和微量杂质进行分析和测试。在VLsI生产中应用较广的微分析技术有SEM(扫描电子显微镜)、TEM(透射电子显微镜)、 sIMS(二次离子质谱)、sAM(扫描俄歇微探针)、EB(电子束探针)。

PCM坝刂试结构的作用是检测芯片生产阶段各工序的工艺质量、参数分布及工艺中随机缺陷的情况。PCM测试结构与电路经历相同的工艺过程,通过对这些图形进行简单的电学测量(一般为直流测量)或直接用显微镜观察,就可以提取到有关生产工艺质量、单元器件或电路的电参数。因此PCM测量是芯片工艺结束后的测量。

     PCM测试结构包括薄层电阻、金属和半导体接触、通孔、栅氧化层、场氧化层、金属互连线、各种结构单管等,代表和反映了各工艺过程的影响。PCM的设计要满足一定的原则:测试结构尺寸与集成电路中的尺寸对应;一定要包含影响工艺质量的关键工序工艺参数检测图形;为了满足检测特定的工艺参数,需要设计一些实际电路中并不采用的测试结构图形。

   PCM技术针对的主要是工艺质量,基本的技术途径为测试结构设计、工艺流片、电测、数据采集、数据分析。