半导体集成电路工艺尺寸越来越小,在一块小小的芯片上集成了许多的器件。CY27H010-35WMB因此,制作过程中必须防止外界杂质污染源的污染,以避免污染源造成元器件性能的劣化以及电路产品不良率的上升和可靠性的下降。污染问题是芯片生产工业必须慎重对待且须花大力气解决的首要问题。污染不仅来源于大规模集成电路的生产过程,还包括提供的超净间专用化学品和材料,甚至建造超净间的建筑材料和建造手段也会引入污染。

   特大规模集成电路(ULSI)时代的半导体制造需要对大量的悬浮分子颗粒进行严格控制,包括水蒸气、酸蒸气、烃类和引入杂质到硅片表面的其他气体。十亿分之几(PPB,Parts Pcr Bi⒒on)级别的悬浮分子沾污的检测现在已成为先进生产线的标准。分子化合物包括金属、非金属、有机物和无机物沾污,所有这些沾污对器件性能都有破环性。图3,1所示是硅片生产过程中污染物的变化。