浅沟道隔离(sTI)的潜在优势(如更好的平面性、抗闩锁能力、低结电容和几乎为零的场侵蚀)使其能够在器件缩小到1OOnm尺寸以下时使用。sTI工艺很复杂,需要对每个步骤进行仔细的工艺集成。沟道填充和CMP均匀度是几个主要的集成问题。CY27H010-35WC 沉积氧化层与热氧化层相比的高刻蚀率可在栅前表面清洁过程中造成场氧化物的损失。

    任何介质常数佬小于sio2的材料都可归类到低庀介质材料。用氟化二氧化硅取代二氧化硅,肟值可降低到3.0~3.2之间。庀值在1~3之间的基本上是聚合材料(如特氟纶AFTM,←1.93)和多孔材料(如干凝胶,庀值在1~3之间)。除了低的热传导性和光的各向异性以外,多孔材料还存在着微结构的非均匀性这一主要问题。

   扩散阻挡层在Cu基互连中起着非常重要的作用,但会带来针孔和非均匀性的问题。化学机械磨光普遍用于浅沟道隔离到顶部全面互连的所有平面化步骤中,粒子是涂层中最可能出现的缺陷,而经过CMP后,膜也可能有微划伤和干浆残留问题。Cu的CMP中最困难的挑战是需要在不过度磨掉任何功能的情况下均匀地去除Cu和阻挡层。顶层厚度由于底下的形貌而出现差异,这会带来色噪声。表3.4则概括了后端工艺的主要材料/工艺变化。