Bi-CMOS工艺是将双极型器件工艺和CMOs工艺结合在一起形成的一种工艺,兼具双极和CMOs工艺的优点。CMOs具有功耗低、噪声容限大、EP3C120F780C7N集成度高的优点。双极器件具有驱动电流大、速度快等优点。通过对双极和CMOS工艺各自特性的调整,可以达到速度和功耗的平衡,使Bi-CMOS可以达到CMOs更高的速度、更好的模拟电路性能;比双极工艺更低的功耗和更高的集成度。Ⅱ-CMOS具有 以下优点:

   (1)相比较同样尺寸的CMOs电路,数字Bi-CMOs逻辑门电路的驱动电流更大,驱动大电容负载时具有更高的速度;

   (2)Bi-CMOS门电路具有与CMOs门电路同样的功耗,并且交流功耗更低;

   (3)数字Bi-CMOs电路可以制作TTL或ECL输出接口。

Bi-CMOS主要应用于3个方面,一是在诸如静态随机存储器(sRAM)等存储器电路中,可以采用双极型器件构成灵敏放大器来检测电路中微小的电压变化;二是在高速数字集成电路中,双极型器件可以用来驱动比较大的电容负载;三是应用于数字/模拟混合集成电路中。