CMOs工艺的发展
发布时间:2016/6/18 20:40:18 访问次数:1917
CMOs意为互补氧化物,其全称为Complement Metal-Oxidc-scmiconduGtor。19“年,Wanlass和s洫首先提出互补逻辑的概念。1966年,RCA公司第一次展示了CMOs集成电路的性能。随着硅的局部氧化工艺的发明,OP2177ARZ可动离子电荷的降低,离子注入的引入以及光刻技术的改进,CMOs工艺得到了广泛的应用。图4.1所示为CMOs反相器的电路图,无论输入是高电平还是低电平,只有一个MOS管处于导通状态,仅在输入电平跳变时产生一定的功耗,因此CMOS工艺技术成为当今主流的半导体制造的工艺技术。
CMOs意为互补氧化物,其全称为Complement Metal-Oxidc-scmiconduGtor。19“年,Wanlass和s洫首先提出互补逻辑的概念。1966年,RCA公司第一次展示了CMOs集成电路的性能。随着硅的局部氧化工艺的发明,OP2177ARZ可动离子电荷的降低,离子注入的引入以及光刻技术的改进,CMOs工艺得到了广泛的应用。图4.1所示为CMOs反相器的电路图,无论输入是高电平还是低电平,只有一个MOS管处于导通状态,仅在输入电平跳变时产生一定的功耗,因此CMOS工艺技术成为当今主流的半导体制造的工艺技术。
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