首先,这三个名词对应的应用应该是一样的,都是利用硅化物来降低Poly上的连接电阻。EL5423CLZ但生成的工艺是不一样的。silicidc是指金属硅化物,是由金属和硅经过物理一化学反应形成的一种化合态,其导电特性介于金属和硅之间,而Polycidc和salicidc则分别对应不同的形成Silicidc的工艺流程。

   Po1ycidc:栅氧化层完成以后,继续在其上面生长多晶硅,然后在Poly上继续生长金属硅化物(silicide),一般为Ws砬(硅化钨)和△s砬(硅化钛)薄膜,然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序,完成整个芯片制造。Salicidc:它的生成比较复杂,先是完成栅刻蚀及源漏注入以后,以溅射的方式在Poly上沉积一层金属层(一般为△、Co或Ni),然后进行第一次快速热退火处理(RapⅡ Thcmal Amcal,RTA),使多晶硅表面和沉积的金属发生反应,形成金属硅化物。根据退火温度设定,使得其他绝缘层(氮化硅或二氧化硅)上的沉积金属不能跟绝缘层反应产生不希望的硅化物,因此是一种自对准的过程。然后再用一种选择性强的湿法刻蚀(NH40H/H202/H20或H2s04/H20的混合液)清除不需要的金属沉积层,留下栅极及其他需要做硅化物的salicidc。另外,还可以经过多次退火形成更低阻值的硅化物连接。与Polycide不同的是,salicidc可以同时形成有源区SD接触的硅化物,降低其接触孔的欧姆电阻,在深亚微米器件中,减少由于尺寸降低带来的相对接触电阻的提升。另外,在制作高值Poly电阻时,必须专门有一层用来避免在Poly上形成salicidc,否则电阻值较低。