集成电路制造中要进行多次工艺过程,包括光刻、氧化、金属化和清洗等。光A3245LLHLT刻工艺是指通过匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘等工艺步骤,将设计文件上的信息转移到晶圆上的过程。集成电路制造过程中往往要用几十道的光刻工序。

   光刻工艺流程

   涂光刻胶

   清洗晶圆,在200℃温度下烘干1h。目的是防止水汽引起光刻胶薄膜出现缺陷。待晶圆冷却下来,立即涂光刻胶。光刻胶有两种:正性胶与负性胶。正性胶显影后去除的是经曝光的区域的光刻

胶,负性胶显影后去除的是未经曝光的区域的光刻胶。正性胶适合作窗口结构,如接触孔、焊盘等,而负性胶适用于做长条形状如多晶硅和金属布线等。

   光刻胶对大部分可见光灵敏,对黄光不灵敏,可在黄光下操作。涂了光刻胶的晶圆再次进行高温烘烤,将溶剂蒸发掉,准备曝光。