离子注入后晶圆表面的离子分布与扩散工艺后的分布不同。离子注入工艺中,原子数量(剂量)由束流密度(每平方厘米面积上的离子数量)和注入时间来决定。 A3245ELHLT晶圆内部离子的具体位置与离子能量、晶圆取向、离子的停止机制有关。离子的能量是有分布的,最终离子停留在晶圆内一定的区间范围,如图2.13所示。它们集中在一定的深度,称为投影射程,两侧的浓度逐渐降低,呈现出高斯分布。

   图2.13 离子注入后杂质浓度分布剖面图

   晶圆的晶体结构在离子注入时,注入内部的离子会与晶格原子发生不同程度的碰撞。当晶圆的主要晶轴对准离子束流时,来自原子的阻止作用要小得多,离子可以沿沟道深入,达到计算深度的10倍距离处,这种现象称为“沟道效应”,如图2.14所示。