因为不同注入条件下所形成的晶格损伤情况相差很大,各种器件对电学参数恢复程度的要求又不相同,所以具体退火条件和退火方式要根据实际注入情况和要求而定。A3245EUA-T随着集成电路的发展,对损伤消除以及电学参数恢复程度的要求也越来越高,常规热退火已经不能完全满足要求,因为它不能完全消除缺陷,而且又会产生二次缺陷,高剂量注入时的电激活率也不够高,要想完全激活某些杂质所需要的退火温度至少要达到1000℃。同时,在热退火过程中,整个晶片(包括注入层和衬底)都要经受一次高温处理,增加了表面污染,特别是高温长时间的热退火会导致明显的杂质再分布,破坏了离子注入技术固有的优点,过大的温度梯度也可能造成硅片的翘曲变形,这些都限制了常规的热退火方法在ULSI中的应用。

   随着集成电路技术的发展,对损伤区、电学参数恢复程度,以及注入离子电激活率的要求也越来越高,常规的热退火方法已经不能满足要求,一些快速退火技术得到了发展。

   快速退火的目的就是通过降低退火温度,或者缩短退火时间完成退火。快速退火技术目前有脉冲激光、脉冲电子束与离子束、扫描电子束、连续波激光以及非相干宽带光源(如卤灯、电弧灯、石墨加热器)等。它们的共同特点是短时间内使硅片的某个区域加热到所需要的温度,并在较短的时间内(103~102s)完成退火。