将掩模版置于光刻胶层上,用一定波长的紫外线照射,使光刻胶发生化学反应。A3245LLHLT-T若不是第一次光刻图形,应保证本次光刻图形与硅片上己有的前几次光刻图形的套准。套准精度直接影响器件的成品率。光源可以是可见光紫外线、X射线和电子束。曝光光量的大小和时间取决于光刻胶的型号、厚度和成像深度。

   显影

   经过曝光后的光刻胶中受到紫外线照射的部分因发生化学反应,大大地改变了这部分光刻胶在显影液中的溶解度。

   晶圆用真空吸盘吸牢,高速旋转,将显影液喷射到晶圆上。显影后,用清洁液喷洗,将光刻后的图形显现出来。影响显影效果的主要因素包括显影液的浓度、温度及显影时间等。显影之后,若图形的尺寸不满足要求,可以返工,只需去掉光刻胶,重新进行上述各步工艺。