在通有氮气的烘箱中烘烤坚膜,坚膜时间太长,光刻胶会流动,破坏图形;坚膜时间太短, A3245LUA溶剂没有完全蒸发,胶与硅片的黏附性差,腐蚀时会出现脱胶现象,导致圆片报废。

   刻蚀

   经过上述工艺步骤之后,就可以进行刻蚀或离子注入了。由于光刻胶具有抗刻蚀性能,所以刻蚀只是将没有光刻胶膜保护的区域腐蚀掉。刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形下层材料的裸露部分去掉,即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料。