小岛是指在氧化层刻蚀的光刻窗口内,还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域,其形状不规则。

   光刻产生小岛的原因有:掩模版HAT3004R-EL图形上的针孔或损伤,在曝光时形成漏光点,使该处的光刻胶膜感光交联,保护了氧化层不被腐蚀,形成小岛,对于这种情况,可在光刻腐蚀后,易版或移位再进行一次套刻,以减少或消除小岛;曝光过度或光刻胶变质失效,以及显影不足,使局部区域光刻胶在显影时溶解不净;氧化层表面有局部耐腐蚀物质,如硼硅玻璃等。腐蚀液不干净,存在阻碍腐蚀作用的脏物。因此必须定期更换新的腐蚀液。

   针孔是指在光刻图形外面的氧化层上,经光刻后会出现的微小孔洞。光刻时产生针孔的原因有:氧化硅薄膜表面有灰尘、石英屑、硅渣等外来颗粒,使得涂胶时胶膜与基片表面未充分沾润,留有未覆盖的小区域,腐蚀时产生针孔;光刻胶中含有固体颗粒,影响曝光效果,显影时剥落,腐蚀时产生针孔;光刻胶膜本身抗蚀能力差,或者胶膜太薄,腐蚀液局部穿透胶膜,造成针孔;前烘不足,残存溶剂阻碍抗蚀剂交联,或者前烘时骤热,引起溶剂挥发过快而鼓泡,腐蚀时产生针孔。

   曝光不足或曝光时间太长,胶层发生皱皮,腐蚀液穿透胶膜而产生腐蚀斑点。腐蚀液配方不当,腐蚀能力太强。掩模版透光区存在灰尘或黑斑,曝光时局部胶膜未曝光,显影时被溶解,腐蚀后产生针孔。 硅片表面质量不好,有一定的位错和层错,而位错和层错处又积聚了快扩散杂质(如铜、铁等),这些地方不能很好地生长二氧化硅,于是形成氧化层针孔。其次,硅片清洗不干净,有残留的杂质,光刻腐蚀后在⒐o2层上产生针孔。