在集成电路制造中,多道掺杂工序均采用了离子注入技术,例如调整阈值电压采用沟道掺杂,CMOs工艺阱的形成以及源区、漏区的形成,尤其是浅结,主要靠离子注入技术来完成。A3242LUA-T与扩散法掺杂比较,离子注入法掺杂具有加工温度低、容易制作浅结、能够均匀地大面积注入杂质和易于实现自动化等优点,己成为超大规模、特大规模、巨大规模集成电路制造中不可缺少的工艺。

   离子注入原理

   原子或分子经过离子化后形成离子,它带有一定量的电荷,即等离子体。用能量为1OOKcV量级的离子束入射晶圆,离子束与晶圆中的原子或分子将发生一系列的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在晶圆中,从而达到掺杂的目的。离子注入晶圆中后,会与硅原子碰撞而损失能量,能量耗尽后离子就会停在晶圆中的某个位置上。离子通过与硅原子的碰撞将能量传递给硅原子,使得硅原子成

为新的入射粒子,新入射离子又会与其他硅原子碰撞,形成连锁反应,如图2,12所示。