针孔。针孔会破坏氧化膜的杂质掩蔽能力,会造成器件漏电流的增大,甚者会使器件击穿而失效。TD1501-5.0由于晶圆抛光效果不好,存在严重位错,在位错处不能形成s⒑2,于是产生针孔。针孔对器件的危害很大且不易发现,因此要采用化学腐蚀法、电解染色法、阳极氧化法以及电解镀铜法等方法检验。为了消除针孔,应严格选择衬底材料,表面应平整、光亮,而且要加强清洁。

   氧化层层错:将氧化后的硅片先经过腐蚀显示,再用显微镜观察,可以看到很多类似火柴杆状的缺陷。氧化层层错会使氧化膜出现针孔等,最终导致PN结反向漏电流增大,耐压降低甚至穿通,使器件失效。在MOs器件中,si/s⒑2系统中的层错会使载流子迁移率下降,影响跨导和开关速度。因此要保证硅片表面抛光质量和表面清洗质量,采用掺氯氧化和吸杂技术,在硅片背面引入缺陷或造成很大应力来降低热氧化层错。