混凝式显影：喷雾武L4973D5.1显影因其均匀性和产能高而非常有吸引力。混凝显影是用以获得正光刻胶喷雾显影工艺优点的一种工艺的变化。该系统使用一个标准的单晶圆喷射装置。正常的喷雾式显影和混凝显影的区别是用于晶圆的显影化学品的不同。工艺开始时，在静止的晶圆表面上覆盖一层显影液（见图9.8）。表面张力使显影液在晶圆表面上不会流散到晶圆外。要求显影液在晶圆表面上停留一定的时间，通常是以吸盘加热的晶圆，这时绝大部分的显影会发生。混合式显影实际上是单片晶圆且只有晶圆的正面沉浸的工艺。在要求的混凝时间过后，更多的显影液被喷到

晶圆表面上并冲洗、甩于，然后送入下一道工序。

   等离子体去除浮渣：不完全显影造成的一个特殊困难称为浮渣( sCumming)。浮渣可以是留在晶圆表面上的未溶解的光刻胶块或是干燥后的显影液3I。膜很薄并很难直观检验。为了解决这个问题，在微米和微米以下的甚大规模集成电路( ULSI)生产线中，在化学显影后用氧等离子体来去除( desc:um)这种薄膜。