掺氯氧化：更薄OPA2349UA的MOS栅极氧化要求非常洁净的膜层。当在氧中加入氯时，器件的性能和洁净度就会得到改善。，氯可以减少氧化层里的移动离子电荷，减少硅表面及氧化层的结构缺陷，减少氧化膜和硅界面的电荷。氯来自干氧气流中氯气( Cl：)、氯化氢(HCl)、三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)。对于气态源，氯、氯化氢以及氧气由不同气体流量计控制进入炉管。对于液态源，像三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)，从液态发泡器中以气态形式进入炉管。从安全和方便的角度来讲，氯仿( TCA)是比较好的氯源。掺氯氧化循环可以在一步反应里完成，也可以在于氧前或干氧后进行。

   氧化后，通常借助于紫外(UV)灯进行一个快速的表面检查。这些高强度的光源可以使操作者看见肉眼看不到的小颖粒和瑕疵。有时还要进行显微镜的表面检查。

   自动晶圆装载：一旦晶圆进化到200 mm直径以后，装卸晶圆对于水平式炉管操作员变成了一个挑战。一批水平式石英晶圆承载架很重，甚至对于机器手装载进水平式炉管也是笨拙和低效率的（见图7. 28）。装卸单个晶圆进出垂直式叠放炉就容易多了。拿取一放置式机械，有时也称机械手( robot)从晶圆片架(cassette)取出一片晶圆，然后把它放入一个炉用石英舟里。对于晶圆装舟系统，难点在于把测试片、生产片和“假片”正确地放到石英舟里（假片通常是放在顶部和底部）。这些晶圆必须从不同的石英舟中取出。