刻蚀之后，图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要r，EL2020CM而要从表面去掉。传统的方法是用湿法化学工艺将其去除。尽管有一些问题，湿法化学液在前端工艺线( FEOL)中是较受欢迎的方法，因为表面和MOS栅极暴露并易于受到等离子体损伤。2㈠。，氧气等离子体去除光刻胶层的使用正在增加，它主要用于后端工艺线( BEOL)中，这是因为敏感器件被介质和金属表层覆盖住了。

   有许多不同的化学品被用于去除工艺。对它们的选择依据晶圆表层（在光刻胶层下）、产晶考虑、光刻胶极性和光刻胶状态（见图9. 25）。一系列不同的工艺：湿法刻蚀、干法刻蚀和离子注入之后，晶圆表层的光刻胶都需要去掉。根据先前工艺的不同会有不同程度的困难。高温硬烘焙、等离子体刻蚀的残留物和侧壁聚合物，以及由离子注入导致的硬壳都会对光刻胶去除工艺带来挑战。

   一般地，光刻胶去除剂被分成综合去除剂和专用于正光刻胶及负光刻胶的去除剂。它们也根据晶圆表层类型被分为有金属的和无金属的。

   由于以下原因，湿法去除受到青睐：

   1．有很长的工艺历史。

   2．成本有效性好。

   3．可有效去除金属离子。

   4．低温度工艺，并且不会将晶圆暴露于可能的损伤性辐射。