融物的薄膜附着到籽晶上然后冷却。在冷却MC9S12DG256BMPV过程中，在熔化的半导体材料的原子定向到籽晶一样的晶体结构，、实际结果是籽晶的定向在生长的晶体中传播。在熔融物中的掺杂原子进人生长的晶体中，生成N型或P型晶体。

   图3. 10晶体生长从籽晶开始

   为了实现均匀掺杂、完美晶体和直径控制，籽晶和坩埚（伴随着拉速）在整个晶体生长过程中以相反的方向旋转。工艺控制需要一套复杂的反馈系统，综合转速、拉速及熔融物温度参数。

   拉晶分为3个段，开始放肩形成一薄层头部，接着是等径生长，最后是收尾。直拉法能够生成几英尺长和直径达到450 mm（18英寸）的晶体。450 mm晶圆的晶体质量将会达到800 kg，需要花费3天时间来生长。

   质量更大的晶体可能导致碎裂成小直径的籽晶（约4 mm）|4、，一个解决方案是用被称为缩颈( dash necking)的工艺开始生长。在开始生长阶段，生长加粗部分。它为更大的晶体提供了机械强度支撑（见图3. 11）。