液体工艺的消除一直是一个长期目标。它佃难于集成到自动化生产线，L6219并且化学品的采购、储存、控制和处理费用高昂。取代液体化学显影液的途径是使用等离子体刻蚀工艺．j于法等离子体刻蚀对于刻蚀晶圆表面层已经是很完善的工艺了（见9.5节）。在等离子体刻蚀中，离子由等离子体场得到能量，以化学形式分解暴露的晶圆表面层。干法光刻胶显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等离子体去除。换句话说，把图案的部分从晶圆表面氧化掉。一种称为DESIRE的干法显影工艺将在第10章中讲述，它使用甲基硅烷( silylation)和氧等离子体。

   硬烘焙

   硬烘焙是在掩膜工艺中的第二个热处理操作。它的作用实质上和软烘焙是一样的——通过溶液的蒸发来固化光刻胶。然而，对于硬烘焙，其唯一目标是使光刻胶和晶圆表面有良好的黏结，这个步骤有时称为刻蚀前烘焙。

   硬烘焙的方法

   硬烘焙在设备和方法上与软烘焙相似。对流炉、在线及手动热板、红外线隧道炉、移动带传导炉和真空炉都用于硬烘焙．，对于自动生产线，轨道系统受到青睐（见8. 10节）。