每一步湿法清洗的后面都跟着一次去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面E去除化学清洗液和终止氧化物刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。 RT9167A-30GB未来的熊点集聚在提高冲洗效果和减少水的用量上。国际半导体技术路线图( ITRS)要求每平方英寸硅片的水用量由之前的30加仑减少到2加仑。

   ·溢流式或级联式清洗器

   ·快速泄放式

   ·超声波或兆频超声波辅助式    ‘

   ·喷洒式

   ·旋转冲洗甩于机

   溢流式或级联式清洗器：自动的表面清洗并不是单独地将晶圆浸泡在池水中。完全、彻底的冲洗需要晶片表面有清洗的水不断地流过。其中一种方法叫溢流式清洗器（见图5. 30）。它通常是嵌入清洗台面板内的一个池子。去离子水从盒子的底部进入，从晶圆周围流过，再经过一个闸门从排水系统排出。从下部的底盘进入冲洗器的一般氮气的气泡加强了流水的冲洗作用。由于氮气的气泡在水中由下向上通过，有助于晶圆表面化学品和水的混合。这一类型称为气泡式。另一不同类型为平行式下流冲洗器。在这一设计中，水从冲洗池外部进入，竖直向下流过晶片（见图5.31）。