接着，在第一层光刻胶的上面，再徐一层相对比较薄的对紫外线敏感的正胶。这一层薄NCP346SN1T1顶层光刻胶避免了厚胶的不利因素和晶圆表面的反射光的影响，可以达到很好的分辨率。因为顶层光刻胶依底层光刻胶的形状变化而变化，所以顶层光刻胶也被称为共形层( conformalayer)或轻便的共形层(portable conformal layer)。顶层光刻胶作辐射的阻挡层，下面一层不会感光。然后使用覆盖式或泛光深紫外曝光（无掩模版），通过顶层的孑L使下面的厚正胶感光，从而将图形从顶层光刻胶转移到了下面一层。显影后，晶圆就可以刻蚀了。

   对两种光刻胶的选择是相当复杂的，需要考虑衬底的反射问题、驻波的影响和PMMA光刻胶的敏感度【22 3。还有，两种光刻胶必须有兼容的烘焙工艺和相互独立的显影剂 在基本的双层光刻胶工艺基础上，引申出厂PMMA添加染色剂和在第一层光刻胶F面使用防反射层等-T艺。许多引申出来的工艺都已非常成熟。使用双层光刻胶工艺其中一一种是剥离( lift-off)技术。通过调整下面一层的显影控制，可以得到悬垂结构，它可以帮助在晶圆表面更好地定义金属线（见图10. 27）.

   i层光刻胶工艺（见图10. 28）在原来的两层光刻胶之间引进了一层“硬”层。这层“硬”层可能是。二氧化硅或其他抗显影剂

物质。与双层光刻胶工艺相同，图形是先在顶层光刻胶形成的；接着，图形通过传统的刻蚀工艺转移到中间“硬”层中；最后，使用“硬”层作为刻蚀掩模版，将图形转移到底层。由于使用了“硬”中间层，底层可以使用非光刻胶物质，比如聚酰业胺．