硬烘焙的时间和温度的选取与在软烘焙工艺中是相同的。起始点是由光刻胶制造商推荐的工艺。 L6219DS之后，工艺被精确调整，以达到黏结和尺寸控制的要求。一般使用对流炉的硬烘焙的温度是从130℃~ 200℃进行30分钟。对于其他方法，时间和温度有所不同。设定最低温度使光刻胶图案边缘和晶圆表面达到良好黏结。热烘焙增强黏结的机理是脱水和聚合。加热使水分脱离光刻胺，同时使之进一步聚合，从而增强了其耐刻蚀性。

   硬烘焙温度的上限以光刻胶流动点而定。光刻胶有像塑料的性质，当加热时会变软并叮流动（见图9.9）。当光刻胶流动时，图案尺寸便会改变。当在显微镜下观察光刻胶流动时，将会明显增厚光刻胶边缘。极度的流动会在沿图案边缘处显示出边缘线。边缘线是光刻胶流动后在光刻胶中留下的斜坡而形成的光学作用。

   硬烘焙是紧跟在显影后或马上在开始刻蚀前来进行的（见图9. 10）。在大多数生产情况中，硬烘焙是由和显影机并排在一起的隧道炉来完成的。当使用此种操作规程时，把晶圆存放在氮气中或是立即完成检验步骤以防止水分重新被吸收到光刻胶中，这一点非常重要。

    工艺工程上的一个目标是有尽可能多的共同工艺。对于硬烘焙工艺来说，由于各种晶圆表面的不同黏接性质有时会给工艺带来困难。更加困难的表面，如铝和掺杂磷的氧化物，有时要经高温硬烘焙或在即将要刻蚀之前对其在对流炉中进行二次硬烘焙。