晶圆掺杂物的再分布：氧化过K4T51163QG-HCE6的硅表面总是有杂质，在开始生产的硅晶圆卜，一般被掺杂为N型=导体或P型半导体。在以后的工艺中，晶圆表面用扩散或离子注入工艺完成掺杂．掺杂元素和浓度都对氧化牛长率有影响。例如，在经过高浓度的磷掺杂后的表面上，氧化层比在其他层上生长的氧化层的密度低。这些磷掺杂的氧化层被刻蚀得更快，并且由于光刻胶的脱落及快速的钻蚀现象的存在，使得刻蚀工艺更加难做，面临一个新的挑战。

   另一个对氧化生长率有影响的是氧化完成后，在硅中掺杂原子的分布引1。回顾在热氧化时，氧化层长人晶圆。问题是“在硅转化成二氧化硅后，掺杂原子发生了什么？”，答案取决于掺杂物的传导类型。N型掺杂物，如磷、砷、锑，它们在硅中比在二氧化硅中有更高的溶解度二，当前面的氧化层碰到它们时，它们将进人品圆里。在硅及二氧化硅之间，就像铲雪机推一个大雪堆一样。结果就是，N型掺杂物在硅及二氧化硅之间比在晶圆里有更离的浓度，称之为“堆积”( pile-up)。

   当掺杂物是P型材料的硼元素时，就会产生相反的结果．，硼原子被拉入二氧化硅层，导致在交界处的硅原子被硼原子消耗尽，称之为“耗尽”( depletion)。堆积和消耗这两种不同作用的结果，会显著地影响器件的电特性。堆积和消耗对于掺杂浓度的精确影响，将在第17章中说明？

   掺杂浓度对氧化率的影响随着掺杂物的类型及浓度的不同而变化。通常来讲，高掺杂区比低掺杂区氧化得更快。高浓度磷掺杂区是不掺杂区氧化率的2—5倍6i。

   可是，掺杂氧化影响在线性阶段（薄氧化层）表现得更为显著。